[发明专利]热载流子注入测试电路及方法有效
| 申请号： | 201310093705.8 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104062573B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种热载流子注入测试电路及方法，所述热载流子注入测试电路包括至少三个依次相连的测试单元，所述测试单元的数量为奇数，每个测试单元包括一个二极管、一个PMOS管和一个NMOS管。本发明技术方案提供的热载流子注入测试电路及方法，同时采用了多个NMOS管样品进行测试，既节约了测试时间，又减小了因不同NMOS管样品产生的测试差异，提高了评估NMOS管热载流子注入寿命的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 注入 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种热载流子注入测试电路，其特征在于，包括：至少三个依次相连的测试单元，所述测试单元的数量为奇数，每个测试单元包括：一个二极管、一个PMOS管和一个NMOS管；在每个测试单元中，所述PMOS管栅极连接所述NMOS管栅极和所述二极管阴极，所述PMOS管漏极连接所述NMOS管漏极，所述PMOS管源极连接所述PMOS管衬底作为第一电源端，所述NMOS管源极连接所述NMOS管衬底作为第二电源端，所述二极管阳极作为施加应力电压的控制端；第一个测试单元中的NMOS管栅极作为输入端，最后一个测试单元中的NMOS管漏极作为输出端，所述输入端连接输出端，后一个测试单元中的NMOS管栅极连接前一个测试单元中的NMOS管漏极。
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