[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310094941.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103378290A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李相昑;李宰渊;孙东熙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。可变电阻存储器件包括：从衬底垂直地伸出的垂直电极；沿着垂直电极层叠的第一水平电极；沿着垂直电极层叠的第二水平电极；插入在垂直电极与第一和第二水平电极之间的可变电阻层，其中所述第一和第二水平电极布置在彼此交叉的方向上。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：垂直电极，所述垂直电极从衬底垂直地伸出；第一水平电极，所述第一水平电极沿着所述垂直电极层叠；第二水平电极，所述第二水平电极沿着所述垂直电极层叠；以及可变电阻层，所述可变电阻层插入在所述垂直电极与所述第一水平电极和所述第二水平电极之间，其中，所述第一水平电极和所述第二水平电极布置在彼此交叉的方向上。
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