[发明专利]含Zn的Mg-Cu-Gd块体非晶合金及制备方法无效
申请号: | 201310094966.1 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103173699A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 高鹏;刘光波;杨少强;薛柱;张密林 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C22C45/00 | 分类号: | C22C45/00;C22C1/03 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供的是一种含Zn的Mg-Cu-Gd块体非晶合金及制备方法。在玻璃形成能力强的Mg-Cu-Gd系非晶合金的基础上,通过Zn元素部分替代Mg元素,采用铜模喷铸工艺制备成分为Mg65-xZnxCu25Gd10(x=3,5,8at.﹪)的四元块体非晶合金。利用真空感应熔炼炉预先制备Cu-Gd中间合金,再制备Mg-Zn-Cu-Gd母合金,最后重熔上述母合金,待母合金熔化后将其喷入铜模型腔中得到Mg-Zn-Cu-Gd块体非晶合金。本发明制备工艺简单、成本低,在保持非晶合金较强玻璃形成能力的同时,能够显著提高非晶合金的力学性能。 | ||
搜索关键词: | zn mg cu gd 块体 合金 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种含Zn的Mg‑Cu‑Gd块体非晶合金,其特征是:名义成分为Mg65‑xZnxCu25Gd10,其中x=3,5,8at.﹪。
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