[发明专利]一种晶体硅太阳电池局域背表面场的制备方法

摘要

一种晶体硅太阳电池局域背表面场的制备方法，包括硅片衬底，在硅片背面设有背面钝化薄膜层，所述的背面钝化薄膜层已经被局部去除，露出硅片衬底，本发明通过二次沉积的方法，先在晶体硅太阳电池的去除背面钝化薄膜的区域局部沉积铝层，然后进行高温烧结形成局域背表面场；之后背面完全沉积或者局部沉积铝层并低温形成背面金属电极。由于第一次仅在去除背面钝化薄膜区域沉积铝层，在高温过程中能够消除铝硅之间的空洞，然后通过全面覆盖或局部覆盖的方法把第一次沉积时孤立的铝层连接起来，形成背面电极。本发明方法能够有效消除晶体硅太阳电池局域背表面场中的空洞，提高电池的光电转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳电池局域背表面场的制备方法，包括硅片衬底，在硅片背面设有背面钝化薄膜层，所述的背面钝化薄膜层已经被局部去除，露出硅片衬底，其特征在于，包括下述步骤：(1)在晶体硅太阳电池的去除背面钝化薄膜的区域局部沉积铝层；(2)高温烧结形成局域背表面场；(3)在背面完全沉积或者局部沉积铝层；(4)低温形成背面金属电极。