[发明专利]一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法有效
申请号: | 201310095466.X | 申请日: | 2013-03-23 |
公开(公告)号: | CN103205801A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 张忻;张繁星;李晓娜;张久兴 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C30B13/00 | 分类号: | C30B13/00;C30B29/10 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前,SmB6稀土硼化物单晶的制备与研究很少,且制备工艺复杂,单晶体质量较差,尺寸小,很难实现实际应用。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法,在高真空环境下制备高质量、大尺寸的稀土硼化物SmB6单晶体。以Sm粉末和B粉末为初始原料制备出的SmB6单晶为的圆柱体,单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 稀土 硼化物 smb sub 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将Sm粉末、B粉末按摩尔比1:6球磨混匀后装入石墨模具中;将模具置于SPS烧结腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结;以100~110℃/min的升温速率升温至1450~1500℃,保温5~8min,随炉冷却至室温,得到SmB6多晶棒;2)采用光学区域熔炼炉,以直径为6~8mm的SmB6多晶棒为籽晶和料棒进行第一次区熔;设备抽真空至1Pa以下后,冲入流动氩气至气压升至0.5MPa,气体流速为1.5~2L/min,30min区熔炉功率增加到籽晶和料棒熔化并形成稳定熔区,为了使熔区更加均匀,将籽晶和料棒反向旋转,转速为30rpm,晶体生长速度单位15~20mm/h,生长至5—6cm长度后进入步骤3);3)采用光学区域熔炼炉,以一次区熔的SmB6为料棒,以SPS烧结的SmB6多晶棒为籽晶进行第二次区熔;设备抽真空至1Pa以下后,冲入流动氩气至气压升至0.5MPa,气体流速为1.5~2L/min,30min区熔炉功率增加到籽晶和料棒熔化并形成稳定熔区,为了使熔区更加均匀,将籽晶和料棒反向旋转,转速为30rpm,晶体生长速度单位10~12mm/h,生长至5—6cm长度后进入步骤4);4)采用光学区域熔炼炉,以二次区熔的SmB6为料棒,以SPS烧结的SmB6多晶棒为籽晶进行第三次区熔;设备抽真空至1Pa以下后,冲入流动氩气至气压升至0.5MPa,气体流速为1.5~2L/min,30min区熔炉功率增加到籽晶和料棒熔化并形成稳定熔区,为了使熔区更加均匀,将籽晶和料棒反向旋转,转速为30rpm,晶体生长速度单位6~8mm/h,生长至5—6cm长度。
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