[发明专利]耗尽型MOS晶体管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种耗尽型MOS晶体管及其形成方法，由于位于源极和漏极之间的栅极中，部分栅极覆盖阱区，另一部分栅极覆盖掺杂区，故增加了晶体管沟道的等效电阻，从而减小了耗尽型MOS晶体管的开态电流及关态电流。通过调节晶体管中掺杂区的厚度及掺杂浓度、位于源极和漏极之间的栅极所覆盖所有掺杂区的宽度总和与源极或漏极宽度之比，可以使耗尽型MOS晶体管的沟道等效电阻的增大量保持适中，从而使耗尽型MOS晶体管的关态电流减小幅度大于开态电流减小幅度，进而在减少晶体管功耗的同时提高耗尽型MOS晶体管的开关电流比。

主权项

一种耗尽型MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底内具有阱区；在部分所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区和阱区的掺杂类型相反，且所述掺杂区的数量至少为一个；在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧的部分阱区内形成源极和漏极，位于所述源极和漏极之间的栅极中，一部分栅极覆盖所述掺杂区，另一部分栅极覆盖所述阱区，所述源极、漏极和掺杂区的掺杂类型相同。