[发明专利]一种准单晶硅太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201310095972.9 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103165753A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:对准单晶硅片进行分类;根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。本发明通过对准单晶硅片进行更加细致地分类;然后根据准单晶硅片的不同分类选择适当的制绒工艺,进而获得外观均匀、效率分布窄、光电转化效率高的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,其中,a)对准单晶硅片进行分类;b)根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;c)在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;d)在所述硅片正面形成减反膜;e)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;f)在所述硅片正面形成正电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的