[发明专利]一种准单晶硅太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310095972.9 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN103165753A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 冯谱
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:对准单晶硅片进行分类;根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。本发明通过对准单晶硅片进行更加细致地分类;然后根据准单晶硅片的不同分类选择适当的制绒工艺,进而获得外观均匀、效率分布窄、光电转化效率高的太阳能电池。
搜索关键词: 一种 单晶硅 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,其中,a)对准单晶硅片进行分类;b)根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;c)在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;d)在所述硅片正面形成减反膜;e)在所述硅片背面形成背电极和铝背场;f)在所述硅片正面形成正电极。
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