[发明专利]晶片收纳方法在审
申请号: | 201310096181.8 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103367212A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片收纳方法,在将沿着分割预定线在内部形成有改性层的晶片收纳到盒中并进行搬送时,避免了晶片破裂。在将沿着交叉的分割预定线(L)形成有改性层(8)的晶片收纳到盒(9)中时,通过以分割预定线(L)的方向与支撑搁板(92)交叉的方式收纳晶片(W),来避免晶片(W)的自重集中到分割预定线(L),防止晶片(W)在盒(9)的搬送中等破裂,该盒(9)至少具有:开口部(90),其容许晶片的进出;一对侧壁(91),其设置于该开口部(90)的两侧部;以及支撑搁板(92),其对置地形成于一对侧壁(91)的内侧的面,且从开口部(90)设置到背部(95)。 | ||
搜索关键词: | 晶片 收纳 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片收纳方法,用于将在通过多条交叉的分割预定线划分出的区域形成有器件的晶片收纳到盒中,所述晶片收纳方法包括:改性层形成工序,将聚光点定位到分割预定线的内部地对晶片照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线,沿着该分割预定线形成改性层;以及收纳工序,将沿着该分割预定线形成有改性层的晶片收纳到盒中,该盒至少具有:开口部,其容许晶片的进出;一对侧壁,其设置于该开口部的两侧部;以及支撑搁板,其对置地形成于该一对侧壁的内侧面且从该开口部设置到背部,在上述收纳工序中,以上述分割预定线的方向与上述支撑搁板交叉的方式收纳上述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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