[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 201310096239.9 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367596A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 中村健二;藤本明;中西务;北川良太;浅川钢儿;镰仓孝信;布谷伸仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：层叠体，其具有主表面并包括发光学层；以及光学层，其被提供为与所述层叠体的所述主表面接触并包括介电体、具有不同于所述介电体的折射率的折射率的多个第一颗粒以及具有不同于所述介电体的折射率的折射率的多个第二颗粒，所述光学层包括：第一区域，其包括所述介电体和所述多个第一颗粒而不包括所述多个第二颗粒；以及第二区域，其包括所述介电体和所述多个第二颗粒，所述第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米，所述第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米，所述第一区域的平均折射率大于所述层叠体的折射率且小于所述第二颗粒的折射率。
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