[发明专利]碳纳米管生长基底的处理方法无效
| 申请号： | 201310096402.1 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104071767A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李清文;王敏;张超;勇振中 | 申请（专利权）人： | 苏州捷迪纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种碳纳米管生长基底的处理方法，该方法包括以下步骤：将碳纳米管生长基底在去离子水、乙醇、丙酮溶液中的一种或几种的混合溶液中进行预清洗；并将碳纳米管生长基底在碱、或酸、或有机碱溶液中浸泡。本发明提供的碳纳米管生长基底的处理方法通过将碳纳米管生长基底在去离子水、乙醇、丙酮溶液中的一种或几种的混合溶液中进行预清洗，并通过碱、或酸、或有机碱溶液浸泡处理，可以去除在生长碳纳米管阵列过程中，残留在碳纳米管生长基底表面的碳纳米管、无定型碳、及缓冲层，恢复碳纳米管生长基底平整表面，而不损伤碳纳米管生长基底本身，实现了碳纳米管生长基底的多次重复利用，降低了碳纳米管阵列的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 生长 基底 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管生长基底的处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1、 将碳纳米管生长基底在去离子水、乙醇、丙酮中的一种或几种的混合溶液中进行预清洗，去除碳纳米管生长基底表面的碳纳米管、无定形碳；S2、 将碳纳米管生长基底在碱、或酸、或有机碱溶液中浸泡，去除碳纳米管生长基底表面的催化剂颗粒及缓冲层。
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