[发明专利]密集导线及其接触垫的图案的形成方法及存储器阵列有效
申请号: | 201310097123.7 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103715143A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 强纳森·都柏勒;史考特·希尔斯 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种密集导线及其接触垫的图案的形成方法与存储器阵列。密集导线及其接触垫的图案的形成方法包括:在基底上形成平行基线图案,然后修剪各基线图案。接着在经修剪的基线图案的侧壁上形成间隙壁形态的衍生线图案及衍生横向图案,其中衍生横向图案形成于衍生线图案的末端之间并邻近经修剪的基线图案的末端,然后移除经修剪的基线图案。接着至少移除衍生线图案的末端部分,使得衍生线图案彼此分离,且全部或部分的衍生横向图案成为接触垫图案,其中每个接触线图案连接于一个衍生线图案。 | ||
搜索关键词: | 密集 导线 及其 接触 图案 形成 方法 存储器 阵列 | ||
【主权项】:
一种密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,包括:在一基底上形成多个平行基线图案;修剪各该基线图案;在经修剪的该些基线图案的侧壁上形成间隙壁形态的多个衍生线图案与多个衍生横向图案,该些衍生横向图案位于该些衍生线图案的末端之间,且邻近该些基线图案的末端;移除经修剪的该些基线图案;以及至少移除该些衍生线图案的多个末端部分,从而使该些衍生线图案彼此分离,且全部或部分的该些横向图案成为接触垫图案,其中每个接触垫图案与一个衍生线图案连接。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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