[发明专利]一种ZnO/α-Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法

摘要

一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗，在石英玻璃上生长单层AZO薄膜；在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层；采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱；在ZnO纳米柱上生长P型α‑Si；AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极，在P型α‑Si上印刷Al背电极；烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，透明导电电极具有高的透过率和电导率，可以有效提高电池的效率。

主权项

一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)对石英玻璃进行清洗；b)在石英玻璃表面上生长单层AZO薄膜，AZO为Al掺杂的ZnO；c)在AZO薄膜上的一侧生长ZnO籽晶层；d)采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱层；e)在ZnO纳米柱层上生长P型α‑Si，同时P型α‑Si也生长在ZnO纳米柱层的ZnO纳米柱间；f)在AZO薄膜上的另一侧沉积Ag电极；g)在P型α‑Si上印刷Al电极；h)烧结，完成电池制备；所述的AZO薄膜的厚度为100～400nm；所述的生长的ZnO籽晶层的厚度为50～100nm；所述的生长ZnO纳米柱的高度即ZnO纳米柱层的厚度为0.3～3um；所述的P型α‑Si的厚度比ZnO纳米柱高度大，使得在ZnO纳米柱上也有一层P型α‑Si，所述的P型α‑Si的厚度为0.4～4um；Ag电极的厚度为100‑500nm。