[发明专利]聚酰亚胺喷涂有效
| 申请号： | 201310097916.9 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064480A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 苏少爽 | 申请（专利权）人： | 江西创成半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 343000 江西省吉*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种高压器件表面保护方法，在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。该高压器件表面保护方法包括：在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂、以及实施聚酰亚胺喷涂时避免污染采用的等离子清洗。该方法包括一套完整的聚酰亚胺喷涂工艺。所述的聚酰亚胺喷涂工艺包括等离子清洗和聚酰亚胺喷涂厚度及固化条件。将完成引线焊接工序的高压器件工件，经过等离子清洗，然后在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 喷涂 | ||
【主权项】：
一种高压器件表面保护方法，在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。该高压器件表面保护方法包括：在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂、以及实施聚酰亚胺喷涂时避免污染采用的等离子清洗。该方法包括一套完整的聚酰亚胺喷涂工艺。所述的聚酰亚胺喷涂工艺包括等离子清洗和聚酰亚胺喷涂厚度及固化条件。将完成引线焊接工序的高压器件工件，经过等离子清洗，然后在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
