[发明专利]一种大面积无裂缝二氧化硅胶体晶体薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310097956.3 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103145134A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 徐联宾;符玲娜;陈建峰;张程伟 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C01B33/14 分类号: C01B33/14
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种大面积无裂缝二氧化硅胶体晶体薄膜的制备方法,属于无机纳米材料制备技术领域。通过Stober法制备粒径单分散的二氧化硅微球,将二氧化硅微球预先高温煅烧处理后经过垂直自组装法生长获得高质量的二氧化硅胶体晶体薄膜。所制得的二氧化硅胶体晶体薄膜,在几百个微米范围内形貌良好,不存在裂缝,呈面心立方排列,且排列有序。本发明技术方案设计新颖合理,适用范围广,操作简单,重复性好,无毒,无污染,安全性好。
搜索关键词: 一种 大面积 裂缝 二氧化硅 胶体 晶体 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种大面积无裂缝二氧化硅胶体晶体薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)采用Stober法制备粒径单分散的二氧化硅微球;2)将步骤1)获得的二氧化硅微球进行煅烧,煅烧条件为:从室温升到650‑900℃,并在650‑900℃恒温保持8‑15小时;3)将步骤2)得到的粒径单分散的二氧化硅微球分散到无水乙醇中制得粒径单分散的二氧化硅微球分散液,使得二氧化硅微球体积为粒径单分散的二氧化硅微球分散液体积的0.1‑0.8%,然后插入载玻片,于30‑60℃的恒温条件下生长3‑5天,完成后在载玻片上形成无裂缝二氧化硅胶体晶体薄膜;取出载玻片,用无水乙醇清洗除去表面附着的二氧化硅溶液,得到样品。
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