[发明专利]一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310098173.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103219378A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘晓勇;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 电阻 射频 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低寄生电阻射频功率器件，包括：在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；以及，在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；其特征在于，还包括：在所述栅介质层之上形成的栅叠层区，包括栅极以及位于栅极之上的钝化层；在所述栅叠层区的两侧形成的第一栅极侧墙；在所述氮化镓沟道层之上，所述栅极的一侧形成的漏极以及在所述栅极的非漏极侧形成的源极；只在所述栅叠层区靠近漏极的一侧位于所述第一栅极侧墙与漏极之间形成的第二栅极侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310098173.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
