[发明专利]一种场发射电子源及其制备方法有效
| 申请号： | 201310098498.5 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104078293B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李冬松;章健 | 申请（专利权）人： | 上海联影医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射电子源，包括阴极、栅极、绝缘层和与阴极相对设置的阳极，其中，所述阴极包括阴极基底和刻蚀在所述阴极基底的阴极发射体阵列，所述栅极通过绝缘层的间隔设于所述阴极基底的上表面，及所述阴极发射体任意一个阴极发射体的侧面。本发明还提供了一种场发射电子源的制备方法，包括在所述阴极基底表面刻蚀得到所述阴极发射体阵列；在图案化后的阴极表面沉积所述绝缘层；于所述绝缘层表面沉积所述栅极；在围绕所述阴极发射体的栅极表面和绝缘层上进行刻蚀，暴露出所述阴极发射体，获得所述场发射电子源。本发明提供的场发射电子源能够提高栅电子发射率，延长场发射电子源使用寿命，制备工艺简单，适用于真空电子器件的冷阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 电子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射电子源，包括阴极、与阴极相对设置的阳极，栅极和绝缘层，其特征在于，所述阴极包括阴极基底和刻蚀在所述阴极基底上的阴极发射体阵列；所述栅极通过绝缘层的间隔设于所述阴极基底的上表面和所述阴极发射体阵列中任意一个阴极发射体的侧面,围绕所述阴极发射体侧面的栅极的高度为所述阴极发射体阵列高度的3/10～7/10。
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