[发明专利]与CMOS器件集成的三维固态电池有效
申请号: | 201310098776.7 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN103367680A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | J·埃利斯-莫纳甘;J·P·甘比诺;K·D·彼得森;J·H·兰基 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01M2/20 | 分类号: | H01M2/20;H01M10/04 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及与CMOS器件集成的三维固态电池。提供了一种固态电池结构,具有在衬底中形成的多个电池元。所述多个电池元包括覆盖在第一绝缘层之上的第一集流器层和覆盖在所述第一集流器层之上的第一电极层。所述电池结构还包括覆盖在构图的第二电极层之上的第二集流器层。所述构图的第二电极层覆盖在所述衬底之上,并形成所述电池元的多个子阵列。所述电池结构还包括覆盖在所述第二集流器层之上的第二绝缘层。所述第二绝缘层基本上横向围绕第一接触衬垫和第二接触衬垫。所述第一接触衬垫电连接至所述第一集流器层,并且所述第二接触衬垫电连接至所述第二集流器层。所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫通过至少两个电线与位于所述衬底上的电路电连通。 | ||
搜索关键词: | cmos 器件 集成 三维 固态 电池 | ||
【主权项】:
一种电池结构,包括:衬底;在所述衬底中形成的多个电池元,所述多个电池元包括覆盖在第一绝缘层之上的第一集流器层和覆盖在所述第一集流器层之上的第一电极层;覆盖在构图的第二电极层之上的第二集流器层,所述构图的第二电极层覆盖在所述衬底之上,并形成所述电池元的多个子阵列;以及覆盖在所述第二集流器层之上的第二绝缘层,所述第二绝缘层基本上横向围绕第一接触衬垫和第二接触衬垫,所述第一接触衬垫电连接至所述第一集流器层,并且所述第二接触衬垫电连接至所述第二集流器层,所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫通过至少两个电线与位于所述衬底上的电路电连通。
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