[发明专利]4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ及制备方法

摘要

4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ，其按如下步骤制得，将4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体粗品溶于小分子醇类溶剂中、达过饱和；在38～42℃下加热搅拌过夜，得悬浮沉淀；过滤，干燥得结晶物。本发明4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ的纯度高、可达99.5%，用于药物中治疗相应病症疗效显著；本发明4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ的制备方法简单、控制条件温和、生产成本低廉，制得的4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型纯度高、可达99.5%，收率理想、可达90%，非常适合大规模工业化生产。

主权项

4‑羟基‑2‑氧代‑1‑吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ，其特征在于：其在衍射角度2θ为12.011、15.318、17.407、19.633、21.228、22.052、24.577、25.223、27.647、28.161、29.109、30.805、31.276、31.766、32.77、33.477、35.252、35.645、36.236、37.379、39.56、40.489、41.256、41.948、43.443、44.628度处有衍射峰。