[发明专利]使用高压设备的低压ESD箝位有效
| 申请号： | 201310099063.2 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367357A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.什里瓦斯塔瓦;C.拉斯;H.戈斯纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔移动通信有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;王忠忠 |
| 地址： | 德国诺*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种使用高压设备的低压ESD箝位。一些实施例涉及静电放电（ESD）保护设备。该ESD保护设备包括在第一和第二电路节点之间延伸且包括触发元件的第一电路径。第二电路径在第一和第二电路节点之间延伸。该第二电路径包括分路元件。开关元件被配置为基于触发元件的状态和开关元件的状态二者来触发经过分路元件的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 高压 设备 低压 esd 箝位 | ||
【主权项】：
一种静电放电（ESD）保护设备，包括：第一电路径，在第一电路节点和第二电路节点之间延伸且包括触发元件；第二电路径，在第一电路节点和第二电路节点之间延伸，该第二电路径包括分路元件；和开关元件，被配置为基于触发元件的状态和开关元件的状态二者来触发经过分路元件的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
