[发明专利]带回收装置的SF6气体密度继电器校验仪无效
申请号: | 201310099352.2 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103308420A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 缪家戌 | 申请(专利权)人: | 成都科创佳思科技有限公司 |
主分类号: | G01N9/00 | 分类号: | G01N9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种带回收装置的SF6气体密度继电器校验仪,包括密度继电器本体,所述密度继电器本体通过管路连接有回收装置,所述密度继电器本体与密度继电器的接头之间设有带减震装置的底座。本发明可以在密度继电器校验仪进行工作之后回收SF6气体,既节省了购买SF6气体的开销,又避免气体泄漏对环境的损坏,易于实现,效果明显。另外,密度继电器本体与密度继电器的接头之间设有带减震装置的底座;在使用时,当密度继电器校的接头发生振动时,该振动通过减震装置后再波及到密度继电器本体,此时,其振动的强度已被大大抑制,不会直接波及密度继电器本体,因此不会对密度继电器本体内的各部件产生影响。 | ||
搜索关键词: | 回收 装置 sf sub 气体 密度 继电器 校验 | ||
【主权项】:
一种带回收装置的SF6气体密度继电器校验仪,包括密度继电器本体(1),其特征在于:所述密度继电器本体(1)通过管路连接有回收装置,所述密度继电器本体(1)与密度继电器的接头(2)之间设有带减震装置的底座(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都科创佳思科技有限公司,未经成都科创佳思科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310099352.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水库塌岸预测冲堆平衡法
- 下一篇:一种含乙虫腈的杀虫组合物
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法