[发明专利]一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201310099378.7 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN103219418A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 廖广兰;孙博;史铁林;盛文军;江婷;谭先华 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0336 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李佑宏 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器结构,其最底层为基底材料,其上为叉指电极,并覆盖一层ZnO薄膜,薄膜之上为ZnO纳米棒,纳米棒表面为TiO2纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法:(1)在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极;(2)镀上ZnO薄膜;(3)合成ZnO纳米棒阵列;(5)在ZnO纳米棒表面形成TiO2纳米结构。本发明的紫外光探测器在保持ZnO紫外探测器超高光电流增益的同时引入TiO2纳米结构,形成异质结能够消除ZnO表面氧空穴陷阱态的影响,同时加快载流子分离减少复合,必然显著提高探测器的灵敏度和光电流增益,此外TiO2的包裹将显著提高探测器的化学稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 纳米 复合 结构 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器的制备方法,包括: 在基底上镀上金属薄膜以形成叉指电极的步骤; 在上述器件表面镀上ZnO薄膜以覆盖所述叉指电极的步骤; 在ZnO薄膜表面生长ZnO纳米棒阵列的步骤; ZnO纳米棒表面生长TiO2纳米结构的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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