[发明专利]一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310099378.7 申请日: 2013-03-26
公开(公告)号: CN103219418A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 廖广兰;孙博;史铁林;盛文军;江婷;谭先华 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0336
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李佑宏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器结构,其最底层为基底材料,其上为叉指电极,并覆盖一层ZnO薄膜,薄膜之上为ZnO纳米棒,纳米棒表面为TiO2纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法:(1)在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极;(2)镀上ZnO薄膜;(3)合成ZnO纳米棒阵列;(5)在ZnO纳米棒表面形成TiO2纳米结构。本发明的紫外光探测器在保持ZnO紫外探测器超高光电流增益的同时引入TiO2纳米结构,形成异质结能够消除ZnO表面氧空穴陷阱态的影响,同时加快载流子分离减少复合,必然显著提高探测器的灵敏度和光电流增益,此外TiO2的包裹将显著提高探测器的化学稳定性。
搜索关键词: 一种 具有 纳米 复合 结构 紫外光 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器的制备方法,包括: 在基底上镀上金属薄膜以形成叉指电极的步骤; 在上述器件表面镀上ZnO薄膜以覆盖所述叉指电极的步骤; 在ZnO薄膜表面生长ZnO纳米棒阵列的步骤; ZnO纳米棒表面生长TiO2纳米结构的步骤。
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