[发明专利]锂离子二次电池有效
申请号: | 201310099756.1 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN103367731B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 池田泰大;佐野笃史 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供高容量并且抑制过充电时温度上升的锂离子二次电池。本发明所涉及的锂离子二次电池其特征在于,具有:包含以通式LixNiyCozMtO2(式中,M为选自Mg、Ba、Al、Ti、Mn、V、Fe、Zr和Mo中的至少1种,0.9≦x≦1.2,0≦y≦1.1,0≦z≦1.1,以及0≦t≦1.1)表示的正极活性物质的正极,和包含负极活性物质的负极,其中,所述负极活性物质以硅和氧化硅为主要成分,并且通过FT‑IR法求得的2110±10cm‑1的吸光度为0.01~0.035。 | ||
搜索关键词: | 锂离子 二次 电池 | ||
【主权项】:
一种锂离子二次电池,其特征在于,具有包含正极活性物质的正极和包含负极活性物质的负极,其中,所述正极活性物质以通式LixNiyCozMtO2表示,式中,M为选自Mg、Ba、Al、Ti、Mn、V、Fe、Zr和Mo中的至少1种,0.9≦x≦1.2,0≦y≦1.1,0≦z≦1.1,并且0≦t≦1.1,所述负极活性物质以硅和氧化硅为主要成分,并且通过FT‑IR法求得的2110±10cm‑1的吸光度为0.01~0.035。
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