[发明专利]一种耐高压高储能密度电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310099868.7 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103219153A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 欧阳俊;袁美玲 | 申请（专利权）人： | 欧阳俊 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/008;H01G4/33 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 杨琪 |
| 地址： | 250061 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种耐高压高储能密度电容器及其制备方法，包括基体、底电极、介电层、顶电极，用Si或SiO2/Si作为基体，底电极为金属薄膜、导电氧化物薄膜、或两种组合；介电层由BaTiO3铁电薄膜组成，顶电极为金属薄膜点电极。采用金属靶或/和导电氧化物靶，单靶以射频或直流磁控溅射的方式在基体上沉积金属薄膜、或导电氧化物薄膜、或先沉积金属薄膜再沉积导电氧化物薄膜，采用陶瓷BaTiO3靶，以射频磁控溅射的方式在底电极上沉积BaTiO3层，采用金属靶，以射频磁控溅射方式沉积顶电极。本发明制备出的薄膜电容器体积小，耐高压，其击穿场强Eb高于1000kV/cm;其实际放电能量密度不低于10J/cm3;损耗低，在频率及温度变化时，介电性能保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 高储能 密度 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，包括基体、底电极、介电层、顶电极，用Si或SiO2/Si作为基体，底电极为金属薄膜、导电氧化物薄膜、或两种组合，厚度为100～1000nm；介电层由BaTiO3铁电薄膜组成，厚度为200nm～5μm；顶电极为直径20～500μm的金属薄膜点电极。
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