[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310100070.X | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103915492A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 邱汉钦;陈祈铭;喻中一;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组成上与第一III-V族化合物层不同。介电钝化层设置在第二III-V族化合物层上。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上，并且延伸穿过介电钝化层。栅电极在源极部件和漏极部件之间设置在第二III-V族化合物层的上方。栅电极具有外表面。含氧区在栅电极下方至少嵌入的第二III-V族化合物层中。栅极介电层具有第一部分和第二部分。第一部分位于栅电极下方且位于含氧区上。第二部分位于栅电极的外表面的一部分上。本发明还涉及高电子迁移率晶体管及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V族化合物层；第二III‑V族化合物层，设置在所述第一III‑V族化合物层上并且在组成上不同于所述第一III‑V族化合物层；介电钝化层，设置在所述第二III‑V族化合物层上；源极部件和漏极部件，设置在所述第二III‑V族化合物层上，并且延伸穿过所述介电钝化层；栅电极，在所述源极部件和所述漏极部件之间设置在所述第二III‑V族化合物层的上方，所述栅电极具有外表面；含氧区，在所述栅电极下方至少嵌入所述第二III‑V族化合物层；以及栅极介电层，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分位于所述栅电极下方且位于所述含氧区上，而所述第二部分位于所述栅电极的所述外表面的一部分上。
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