[发明专利]双源极跟随器像素单元架构无效
| 申请号： | 201310100283.2 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103369269A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨存宇;霍华德·E·罗兹 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及双源极跟随器像素单元架构。本发明提供用于提供包括两个源极跟随器晶体管的像素单元的技术。在一实施例中，像素单元的第一源极跟随器晶体管和所述像素单元的第二源极跟随器晶体管彼此并联地耦合，其中所述源极跟随器晶体管各自经由其相应栅极耦合到所述像素单元的浮动扩散节点。在另一实施例中，所述第一源极跟随器晶体管和第二源极跟随器晶体管各自基于所述浮动扩散节点的电压进行操作以提供放大信号的相应分量，其中所述像素单元基于所述放大信号输出模拟信号。 | ||
| 搜索关键词： | 双源极 跟随 像素 单元 架构 | ||
【主权项】：
一种像素阵列，其包含：像素单元，其用以基于放大信号输出模拟信号，所述像素单元包含：光电二极管，其用以响应于入射于所述光电二极管上的光而累积电荷；转移晶体管，其耦合在所述光电二极管与浮动扩散节点之间，所述转移晶体管用以基于所述累积电荷而将所述浮动扩散节点置于某一电压电平；第一源极跟随器晶体管，其包括耦合到所述浮动扩散节点的第一栅极，所述第一源极跟随器晶体管用以基于所述电压电平输出所述放大信号的第一分量；以及第二源极跟随器晶体管，其包括耦合到所述浮动扩散节点的第二栅极，所述第二源极跟随器晶体管用以基于所述电压电平输出所述放大信号的第二分量。
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