[发明专利]一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法无效
| 申请号： | 201310100553.X | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103145096A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘曰涛;肖春雷;王伟;杨明坤;魏修亭 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄博*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：将玻璃片夹持在一固定工作台上，将硅片夹持在超声换能器上，超声换能器固定在一可动工作台上，设定工作台的加热温度，设置超声参数，设置阳极键合参数，可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；键合完成后拆下被键合件。相对于传统高温阳极键合方法，本发明的低温超声阳极键合方法在同样键合强度下，键合温度，键合电压及键合时间均能大大缩减，提高了MEMS器件的键合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 玻璃片 低温 超声 阳极 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：（1）设定温控键合炉的加热温度；（2）设置超声参数，超声参数包括超声频率，超声功率，超声持续时间；（3）设置阳极键合参数，阳极键合参数包括键合电压，键合压力和键合时间；（4）按照阳极键合要求将玻璃片夹持在一手动升降台上，将硅片夹持在超声变幅杆上，超声变幅杆固定在一可动工作台上；（5）可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，然后按照设定好的超声参数在硅片上施加超声，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；（6）去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；（7）键合完成后拆下被键合件。
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