[发明专利]一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法无效
| 申请号： | 201310100636.9 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103215541A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 徐从康 | 申请（专利权）人： | 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;B22F3/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种平面铜铟镓硒溅射靶材，由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20-25）∶（10-19）∶（6-12.5）∶（50-60）。本发明还提供了一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法。该靶材由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，能够大幅降低铜铟镓硒薄膜电池的生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该靶材的制备方法以高纯金属铜、铟、镓、硒为原料，经过球磨、过筛、热压等工艺制得平面铜铟镓硒溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到89%以上、氧密度高可达150-250ppm、电导率高可达50-80Ωcm、尺寸小可达40-100微米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 铜铟镓硒 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面铜铟镓硒溅射靶材，其特征在于：由铜、铟、镓和硒构成Cu‑In‑Ga‑Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20‑25）：（10‑19）：（6‑12.5）：（50‑60）。
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