[发明专利]一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层，即得。该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合，不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低，而且溅射工艺过程中沉积速率快，同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p-n结内吸收层连结结构IAJ，生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。

主权项

一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）在300‑400℃下，使用40W‑300W的功率以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射上第一层薄膜，溅射时间为5‑40min，形成第一贫铜层；其中铜铟镓硒合金旋转溅射靶材的形状为圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆形；（2）在500‑600℃下，使用60W‑350W的功率以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射上第二层薄膜，溅射时间为20min‑3h，形成富铜层；（3）在500‑600℃下，使用20W‑200W的功率以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在富铜层上溅射上第三层薄膜，溅射时间为5‑40min，形成第二贫铜层，即得铜铟镓硒薄膜。