[发明专利]一种硅基三维微电池纳米电极结构有效
| 申请号： | 201310101495.2 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103213933A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李静;岳闯;吴孙桃 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;H01M4/134;H01M4/1395 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜，利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀；依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物；最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层，进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑，另一方面形成的硅或者硅复合材料，可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电池 纳米 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种硅纳米柱阵列，其特征在于，组成该阵列的硅纳米柱为下大上小的瓶状，直径50‑500nm，高度700nm‑5μm，柱间距为100nm‑400nm。
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