[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310101615.9 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078545A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括：衬底；第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于该衬底的一表面上，且所述第一半导体层靠近该衬底设置；与所述第一半导体层电连接的第一电极；及与所述第二半导体层电连接的第二电极；所述衬底的表面在与第一半导体层相结合处开设有若干纳米级的孔洞。衬底在与第一半导体层相结合处开设多个纳米级的孔洞，该多个纳米级的孔洞可以起到散射的作用，当活性层中产生的部分光线以大角度入射到该多个纳米级的孔洞时，该多个纳米级的孔洞会改变光线的运动方向，有效减少光的全反射，从而可以提高所述发光二极管的光萃取效率。本发明还提供一种制造该种发光二极管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：衬底；第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于该衬底的一表面上，且所述第一半导体层靠近该衬底设置；与所述第一半导体层电连接的第一电极；及与所述第二半导体层电连接的第二电极；其特征在于：所述衬底与第一半导体层接触的表面上形成有多个纳米级的孔洞。
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