[发明专利]半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构无效
| 申请号： | 201310102202.2 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078443A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李明东;连士进;林孝章;曾钦义;吴国豪;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构，该半导体复合层结构设置于具有一电路结构及一第一导电层的一衬底上，半导体复合层结构包括多个介电层、第一浸润层、坚硬层及第二浸润层；此些介电层彼此间隔地设置于衬底上；第一浸润层设置于此些介电层上及此些介电层之间的衬底上；坚硬层设置于第一浸润层上；第二浸润层设置于坚硬层上，用以与一第二导电层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 结构 具有 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体复合层结构，设置于具有一电路结构及一第一导电层的一衬底上，该半导体复合层结构包括：多个介电层，彼此间隔地设置于该衬底上；一第一浸润层，设置于这些介电层上及这些介电层之间的该衬底上；一坚硬层，设置于该第一浸润层上；以及一第二浸润层，设置于该坚硬层上，用以与一第二导电层接触。
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