[发明专利]LED用非极性GaN外延片的制备工艺有效
| 申请号： | 201310102763.2 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103219436A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 叶文远;曾尔曼;吴昊天;孙怡;庄佩贞 | 申请（专利权）人： | 上海萃智科技发展有限公司;厦门产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺，包括步骤：（1）准备GaN、碳、硼材料；（2）把GaN、碳、硼放置在一起并发生熔融反应生产熔融物，使其在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶；（3）在生成的GaN单晶a面上，在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶薄膜衬底，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶薄膜衬底；（4）把生成的GaN单晶薄膜衬底在300—1200℃的温度范围内热处理加工，形成衬底片；（5）对衬底片进行切割；（6）对切割获得的衬底切片进行封装。此生产工艺简单，生长周期短，热导率高，晶格失配率小，可以大幅度提高产品的发光率。 | ||
| 搜索关键词： | led 极性 gan 外延 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺，其特征在于：它包括步骤：（1）准备GaN、碳、硼材料；（2）把GaN、碳、硼放置在一起并发生熔融反应生产熔融物，使其在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶；（3）在生成的GaN单晶a面上，在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶薄膜衬底，并在5—95℃/小时的速度冷却生成的GaN单晶薄膜衬底；（4）把生成的GaN单晶薄膜衬底在300—1200℃的温度范围内热处理加工，形成衬底片；（5）对衬底片进行切割；（6）对切割获得的衬底切片进行封装。
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