[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310103174.6 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103151386A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘正超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；深阱，位于所述衬底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包围所述第一阱和所述第二阱；漏区，位于所述第二阱中；源区，位于所述第一阱中；接触区，位于所述第一阱中；栅极结构，覆盖部分所述第一阱和部分所述第二阱。在本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件，能够减小所述横向扩散金属氧化物半导体器件之间的漏电，相比无所述第三阱的横向扩散金属氧化物半导体器件的漏电流可以减小2个数量级，又可以缩小横向扩散金属氧化物半导体器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；深阱，位于所述衬底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包围所述第一阱和所述第二阱；漏区，位于所述第二阱中；源区，位于所述第一阱中；接触区，位于所述第一阱中；以及栅极结构，覆盖部分所述第一阱和部分所述第二阱；其中，所述衬底、第一阱、和接触区均为第一导电类型参杂，所述深阱、第二阱、第三阱、漏区和源区均为第二导电类型参杂。
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