[发明专利]晶圆清洗方法及晶圆清洗装置有效
| 申请号： | 201310103214.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078352B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种晶圆清洗方法以及晶圆清洗装置，提供带有热量的去离子水，所述去离子水与所述刻铜液进行混合产生的热量与所述去离子水本身的热量均能够提高所述刻铜液对所述晶圆边缘表面的铜层进行刻蚀的效率，从而能够快速的去除所述晶圆边缘表面的铜层，避免所述刻铜液长时间的涂覆，可以有效的防治所述刻铜液溅射至所述晶圆的中心有铜区形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆清洗方法，包括：提供晶圆；向所述晶圆的边缘表面喷涂去离子水和刻铜液；其中，所述去离子水的温度范围大于15度；所述去离子水和刻铜液的总流速小于21毫升/秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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