[发明专利]具有热局限间隔物的存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201310103867.5 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103545338A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有热局限间隔物的存储装置及其制造方法,该装置包括一接点阵列及一图案化绝缘层于该接点阵列之上;该图案化绝缘层包括一沟道;该沟道包括一侧壁与该阵列中的多个接点对准;多个底电极于该侧壁的较低部分而与其各自接点的上表面接触;一存储材料的热限制侧壁子形成于该图案化绝缘层与在该侧壁的较高部分的绝缘填充材料之间及与该多个底电极接触。 | ||
搜索关键词: | 具有 局限 间隔 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造一存储装置的方法,包含:形成一电极材料于一侧壁特征的较低部分,该侧壁特征位于一图案化绝缘层的侧面上;形成一存储材料层于该侧壁特征的较高部分,该存储材料层具有第一侧及与该第一侧相对的第二侧,该存储材料与该电极材料的一上表面接触;将该存储材料层的该第二侧覆盖一绝缘填充材料,因此定义一存储材料限制层于该图案化绝缘层与该绝缘填充材料之间;将该存储材料限制层的一上表面裸露出来;以及形成一电极于该存储材料限制层及该绝缘填充材料之上,且与该存储材料限制层的该上表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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