[发明专利]阵列式结构的LED组合芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种具有阵列式结构的LED组合芯片及其制备方法，该组合芯片包括通过阵列式结构布线连接为一颗单颗芯粒的若干颗GaN基LED芯片；每一颗GaN基LED芯片从下到上依次包括：外延片、绝缘隔离层、透明导电层、P型电极及P型焊盘、N型电极及N型焊盘和钝化层。本发明是传统GaN基发光二极管与IC电路相结合的器件，由多个传统GaN基LED芯片单元用阵列式集成，芯片单元组成一颗单颗芯粒，用户封装打线的数量大大减少，降低封装难度。并且，本发明组合芯片以大电流小电压的驱动方式工作，不但缓解由于热失配和晶格失配引起的应力，而且由于侧壁面积的增多而增加光提取效率，从而提高发光效率。

主权项

一种阵列式结构的LED组合芯片，其特征在于，包括：通过阵列式结构布线连接为一颗单颗芯粒的若干颗GaN基LED芯片；每一颗GaN基LED芯片从下到上依次包括：—衬底；—N型GaN层，所述N型GaN层生长在衬底上；—有源区量子阱层，所述有源区量子阱层包含若干对InGaN/GaN阱垒结构，生长在N型GaN层上；—P型GaN层，所述P型GaN层生长在有源区量子阱层上；—绝缘隔离层，该隔离层制作在N型GaN层和P型GaN层之上；—透明导电层，该透明导电层制作在P型GaN层与绝缘隔离层上；—P型电极及P型焊盘，该P型电极铺设在透明导电层和绝缘隔离层上，P型焊盘和P型电极线连接在一起；—N型电极及N型焊盘，该N型电极铺设在N型GaN层上，在有源区量子阱层之下，N型焊盘和N型电极线连接在一起；以及—钝化层，该钝化层制作在P型电极线、N型电极线、透明导电层上。