[发明专利]分段沟道晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310105855.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078356A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分段沟道晶体管及其形成方法，所述分段沟道晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一外延层和第一外延层表面的第二外延层；图形化第二外延层，形成若干第一开口；沿第一开口刻蚀所述第一外延层，去除所述第一开口底部的第一外延层以及第一开口两侧的第二外延层下方的部分第一外延层，形成第二开口；在所述第二开口内形成介质层，所述介质层的表面低于第二外延层的表面并且部分第二外延层与半导体衬底之间通过介质层隔离；形成横跨所述介质层和第二外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成源极和漏极。所述分段沟道晶体管的形成方法可以降低晶体管的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 分段 沟道 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种分段沟道晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一外延层；在所述第一外延层表面形成第二外延层；图形化所述第二外延层，形成若干第一开口，暴露出第一外延层的部分表面；沿第一开口刻蚀所述第一外延层，去除所述第一开口底部的第一外延层以及位于所述第一开口两侧的第二外延层下方的部分第一外延层，形成第二开口，使部分第二外延层悬空，减少第一外延层与第二外延层、半导体衬底之间的接触面积；在所述第二开口内形成介质层，所述介质层的表面低于第二外延层的表面并且部分第二外延层与半导体衬底之间通过介质层隔离；形成横跨所述介质层和第二外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧的第二外延层内形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
