[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310105937.0 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078359A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NMOS晶体管及其形成方法，其中，NMOS晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构；位于栅极结构的两侧侧壁的偏移侧墙；位于半导体衬底内的N型浅掺杂源/漏区；位于半导体衬底内的反型掺杂区，反型掺杂区掺杂类型为P型，反型掺杂区的深度小于N型浅掺杂源/漏区的深度，且被N型浅掺杂源/漏区包围；位于半导体衬底内的N型深掺杂源/漏区，N型深掺杂源/漏区的深度大于N型浅掺杂源/漏区的深度。反型掺杂区的存在改善了NMOS晶体管的热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于半导体衬底上的栅介质层和位于栅介质层上的栅极；在所述栅极结构的两侧侧壁形成偏移侧墙；以所述栅极结构和偏移侧墙为掩膜，对所述栅极结构和偏移侧墙两侧的半导体衬底进行第一离子注入，在半导体衬底内形成N型浅掺杂源/漏区；以所述栅极结构和偏移侧墙为掩膜，对所述栅极结构和偏移侧墙两侧的半导体衬底进行第二离子注入，在半导体衬底内形成反型掺杂区，反型掺杂区的掺杂类型为P型，反型掺杂区的深度小于N型浅掺杂源/漏区的深度，且被N型浅掺杂源/漏区包围；在所述偏移侧墙表面形成主侧墙；以所述栅极结构和主侧墙为掩膜，对所述栅极结构和主侧墙两侧的半导体衬底进行第三离子注入，在半导体衬底内形成N型深掺杂源/漏区，N型深掺杂源/漏区的深度大于N型浅掺杂源/漏区的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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