[发明专利]一种真空压强传感器无效
| 申请号： | 201310106267.4 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103207046A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 郑学军;王现英;程宏斌;谢澍梵 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种真空压强传感器，包括： 一片基底；一层半导体薄膜；一个半导体纳米线阵列；以及两片电极，其中，所述半导体薄膜粘合在所述基底上，所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上，所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 压强 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于半导体纳米线垂直阵列的真空压强传感器，其特征在于，包括： 一片基底；一层半导体薄膜；一个半导体纳米线阵列；以及两片电极，其中，所述半导体薄膜粘合在所述基底上，所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上，所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。
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