[发明专利]实现高密度硅通孔互联的微电子芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310106480.5 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103280435A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘建影 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现高密度硅通孔互联的微电子芯片，在硅裸芯片上密集制造硅通孔，形成高密度硅通孔阵列，将碳纳米管材料加工成致密碳纳米管束，将不同的致密碳纳米管束分别对应插入不同的硅通孔，形成致密碳纳米管束阵列，在硅通孔和致密碳纳米管束之间的间隙内填充密实绝缘材料，通过致密碳纳米管束的端部互联实现高密度硅通孔互联，用于下一步微电子元器件封装制造。还公开了本发明微电子芯片的制造方法，利用碳纳米管填充硅片通孔，实现了硅片上的高密度硅通孔互联，提高了微电子系统面积利用率，缩短了芯片互联距离，减低局部和全局的时延，提高了始终频率，减低了系统功耗、减少了输入/输出驱动器数量，在众多工业领域拥有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 高密度 硅通孔互联 微电子 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种实现高密度硅通孔互联的微电子芯片，在硅裸芯片（1）上密集制造硅通孔，形成高密度硅通孔阵列，其特征在于：将碳纳米管材料加工成致密碳纳米管束（2），将不同的所述致密碳纳米管束（2）分别对应插入不同的硅通孔，形成致密碳纳米管束阵列，在所述硅通孔和所述致密碳纳米管束（2）之间的间隙内填充密实绝缘材料（3），使高密度硅通孔阵列和致密碳纳米管束阵列固定组装为一体，并使在硅裸芯片（1）两侧的致密碳纳米管束（2）的端部暴露出来，通过致密碳纳米管束（2）的端部互联实现高密度硅通孔互联，用于下一步微电子元器件封装制造。
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