[发明专利]一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 201310106694.2 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103227290A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 胡俊青;宋国胜;周颖;蒋扉然;安磊;李博;李春 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法，包括：将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合，升温至120～140℃，之后除水除氧；然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220～230℃，反应1～3h；最后自然冷却至室温，离心收集产物，得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单，一步获得CuInSe2/导电聚合物超结构杂化纳米晶，避免后续配体交换步骤，产物可直接制成“纳米晶墨水”，用于组装太阳能电池，容易规模化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuinse sub 导电 聚合物 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法，包括：将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合，升温至120～140℃，之后除水除氧；然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220～230℃，反应1～3h；最后自然冷却至室温，离心收集产物，得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶；其中，高沸点有机溶剂、导电聚合物、铜源、铟源、硒源的配比为1‑20mL：0.01‑1g：1‑1000mg：1‑1000mg：1‑1000mg。
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