[发明专利]铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法在审
| 申请号： | 201310106729.2 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078340A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法，铜金属层图形化方法包括：提供基底，在所述基底上形成铜金属层，在所述铜金属层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对暴露的铜金属层进行离子注入，所述离子注入的注入离子中含有卤素离子，所述暴露的铜金属层进行离子注入后形成铜卤材料层；去除所述铜卤材料层。本方法可以实现铜金属层的高效率刻蚀，并得到非常好的刻蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 图形 方法 铜插塞 栅极 互连 形成 | ||
【主权项】：
一种铜金属层的图形化方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成铜金属层，在所述铜金属层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对暴露的铜金属层进行离子注入，所述离子注入的注入离子中含有卤素离子，所述暴露的铜金属层进行离子注入后形成铜卤材料层；去除所述铜卤材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
