[发明专利]一种COA阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201310108090.1 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103258793A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 齐永莲;舒适;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种COA阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，属于液晶显示技术领域，可以解决现有的阵列基板的制备方法复杂、成本较高的问题。本发明的阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在TFT基底上的保护层上涂光刻胶层，所述光刻胶层同时作为平坦化层，其中TFT基底包括基底和薄膜晶体管；通过光刻工艺在光刻胶层中形成彩膜容纳孔；在彩膜容纳孔中制作彩色滤光层。本发明的阵列基板，包括位于保护层上的光刻胶层，所述光刻胶层同时作为平坦化层，且其中形成有彩膜容纳孔，彩膜容纳孔中形成有彩色滤光层。本发明的显示装置包括上述阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 coa 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种COA阵列基板的制备方法，包括TFT基底和设置在TFT基底上的彩色滤光层，其特征在于，包括如下步骤：在TFT基底上的保护层上涂光刻胶层，所述光刻胶层同时作为平坦化层，其中TFT基底包括基底和薄膜晶体管；通过光刻工艺在光刻胶层中形成彩膜容纳孔；在彩膜容纳孔中制作彩色滤光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310108090.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
