[发明专利]基于高速磁随机存取存储器的三态CAM

摘要

本公开涉及一种基于自参考型磁随机存取存储器的三态内容可寻址存储器(基于MRAM的TCAM)单元，包括第一和第二磁隧道结；第一和第二导电带，适于分别在该第一和第二磁隧道结中传递加热电流；传导线，串联电连接该第一和第二磁隧道结；第一电流线，用于传递第一场电流以将第一写数据选择性地写入到该第一磁隧道结；以及第二电流线，用于传递写电流以将第二写数据选择性地写入到该第二磁隧道结，使得三个不同的单元逻辑状态可以被写入在基于MRAM的TCAM单元中。

主权项

基于自参考型磁随机存取存储器的三态内容可寻址存储器(基于MRAM的TCAM)单元，包括：第一和第二磁隧道结，每个磁隧道结包括：搜索层，其具有可以被自由改变的搜索磁化强度；存储层，其具有当该磁隧道结处于高温阈值时可以从第一稳定方向切换到第二稳定方向的存储磁化强度；以及隧道阻挡层，其在该搜索层和该存储层之间；第一导电带，其与第一磁隧道结的一端电连通；第二导电带，其与第二磁隧道结的一端电连通；传导线，其与第一和第二磁隧道结的另一端电连通，使得两个磁隧道结被串联连接；第一电流线，用于传递生成第一磁场的第一场电流，以将第一写数据写入到该第一磁隧道结；以及第二电流线，用于独立于在该第一电流线中传递该第一场电流来传递写电流，以选择性地根据该第一写数据的写入将第二写数据写入到该第二磁隧道结，使得三个不同的单元逻辑状态可以被写入在基于MRAM的TCAM单元中。