[发明专利]一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法有效
| 申请号： | 201310108349.2 | 申请日： | 2013-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104078535A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 左致远;陈康;夏伟 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法，包括步骤如下：（1）利用现有的光刻工艺对反极性AlGaInP基LED的mesa图形外延片进行曝光与显影，在所述mesa图形外延片四周形成定周期性边缘图形；（2）利用所述含饱和Br2去离子水对步骤（1）显影完成的所述mesa图形外延片进行腐蚀；（3）对步骤（2）腐蚀后的mesa图形外延片按照常规工艺进行清洗、去胶处理，形成与所述周期性边缘图形形状对应的粗化侧壁。本发明首次提出利用光刻技术实现LED芯片的侧壁粗化，与现有技术相比本发明极大的提升了LED的光提取效率特别是LED芯片侧面的光提取效率，改善LED器件的外量子效率，降低内部发热，延长LED的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp led 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法，其特征在于，该方法包括步骤如下：（1）利用现有的光刻工艺对反极性AlGaInP基LED的mesa图形外延片进行曝光与显影，在所述mesa图形外延片四周形成定周期性边缘图形；（2）将Br2加至去离子水中至饱和，形成含饱和Br2去离子水，利用所述含饱和Br2去离子水对步骤（1）显影完成的所述mesa图形外延片进行腐蚀；其腐蚀深度贯穿外延结构，延伸至键合层；（3）对步骤（2）腐蚀后的mesa图形外延片按照常规工艺进行清洗、去胶处理，形成与所述周期性边缘图形形状对应的粗化侧壁。上述步骤完成后，直接进行后续LED芯片制作工艺。
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