[发明专利]一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法有效
| 申请号： | 201310108423.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078837B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;刘青;刘欢;张木青;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基蓝绿光激光二极管器件，包括由下而上设置的第二衬底、GaN基外延层和N电极，在GaN基外延层的P型面为周期性的脊波导条状结构，在所述脊波导条状结构的表面设置有有P电极，所述P电极宽度小于脊波导条状结构表面的宽度，所述P电极也呈脊波导条状，所述P电极包括底面和倾斜阶梯侧边，所述P电极的底面与所述第二衬底相连，所述P电极的倾斜阶梯侧边与所述第二衬底通过焊接层相连。本发明还涉及一种如上述GaN基蓝绿光激光二极管器件的制作方法。本发明与现有不导电衬底激光二极管平面电极结构相比，采用LED芯片换衬底工艺技术，制备出上下电极的倒装衬底结构的激光器二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 蓝绿 激光二极管 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基蓝绿光激光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括由下而上设置的第二衬底、GaN基外延层和N电极，在GaN基外延层的P型面为周期性的脊波导条状结构，在所述脊波导条状结构的表面设置有有P电极，所述P电极宽度小于脊波导条状结构表面的宽度，所述P电极也呈脊波导条状，所述P电极包括底面和倾斜阶梯侧边，所述P电极的底面与所述第二衬底相连，所述P电极的倾斜阶梯侧边与所述第二衬底通过焊接层相连。
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