[发明专利]InSb晶片与Si晶片键合的方法有效

专利信息
申请号: 201310109012.3 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103199156A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 彭红玲;郑婉华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括:步骤A,将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗,而后用去离子水清洗;步骤B,将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤C,将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤E,将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合,而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理,以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单,具有较强的实用性。
搜索关键词: insb 晶片 si 方法
【主权项】:
一种InSb晶片与Si晶片键合的方法,其特征在于,包括: 步骤A,将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗,而后用去离子水清洗; 步骤B,将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗; 步骤C,将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗; 步骤E,将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合,而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理,以完成InSb晶片和Si晶片的键合。
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