[发明专利]InSb晶片与Si晶片键合的方法有效
申请号: | 201310109012.3 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103199156A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 彭红玲;郑婉华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括:步骤A,将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗,而后用去离子水清洗;步骤B,将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤C,将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤E,将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合,而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理,以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单,具有较强的实用性。 | ||
搜索关键词: | insb 晶片 si 方法 | ||
【主权项】:
一种InSb晶片与Si晶片键合的方法,其特征在于,包括: 步骤A,将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗,而后用去离子水清洗; 步骤B,将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗; 步骤C,将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗; 步骤E,将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合,而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理,以完成InSb晶片和Si晶片的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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