[发明专利]一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310109264.6 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103147065A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 薛玉明;刘君;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘浩;辛治军;冯少君;尹振超;张嘉伟;尹富红 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/50;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜，其化学分子式为GaN，该氮铟镓薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6-1µm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室中，采用MOCVD工艺在衬底表面沉积一层氮化镓薄膜。本发明的优点是：该氮化镓GaN薄膜对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，且其吸收系数高，载流子迁移率高、抗辐射能力强，其用作氮铟镓InxGa1-xN薄膜太阳电池的窗口层，为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能；其制备方法简单，有利于大规模的推广应用，尤其在太空及特殊场合中具有极其重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳电池 窗口 氮化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜，其特征在于：化学分子式为GaN，该氮铟镓薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6‑1μm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
