[发明专利]用于处理基板的装置有效
申请号: | 201310109335.2 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103367207B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 卢焕益 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 杨生平,钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种基板处理装置,包括处理容器,其提供清洗基板的空间;基板支撑元件,其被包括在所述空间中并且支撑所述基板;喷射元件,其选择性地在位于基板支撑元件上的基板上喷射多种流体。所述处理容器包括多个回收容器,其入口在上下方向上堆叠以在所述空间内接收流体;第一提升元件,其在上下方向上移动所述多个回收容器;和第二提升元件,其在上下方向上相对于剩余的回收容器相对地移动所述多个回收容器的一部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,包括:处理容器,其提供清洗基板的空间;基板支撑元件,其被包括在所述空间中并且支撑所述基板;喷射元件,其选择性地在位于所述基板支撑元件上的基板上喷射多种流体;其中所述处理容器包括:多个回收容器,其入口在上下方向上堆叠以在所述空间内接收流体;第一提升元件,其在上下方向上移动所述多个回收容器;和第二提升元件,其在上下方向上相对于所述多个回收容器中的一个或多个固定回收容器相对地移动所述多个回收容器中的一个或多个转移回收容器,所述转移回收容器的入口在高度上高于所述固定回收容器的入口,并且化学物中产生相对大量烟气的化学物通过具有在最下部位置处布置的入口的固定回收容器被回收;并且所述第二提升元件被固定到所述第一提升元件,其中所述第一提升元件和第二提升元件中的每一个被形成为气缸,其中所述第一提升元件包括:第一主体;设置在所述第一主体上并与框架耦接的第一连接板;和被设置以在所述第一主体内上下移动并与所述第一连接板耦接的第一气缸负载;其中所述第二提升元件包括:固定到所述第一连接板的第二主体;设置在第二主体上并与所述转移回收容器耦接的第二连接板;和从所述第一气缸负载的内部向上延伸到所述第二主体的内部并被设置为在所述第一气缸和所述第二主体内上下移动的第二气缸负载。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造