[发明专利]薄膜和制造薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310109350.7 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078407B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 胡卉;胡文 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张云珠;韩芳 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜和制造薄膜的方法，所述方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余料层之间，注入离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；将键合体放入预定容器内以对键合体进行加热，使得薄膜层和余料层分离；在薄膜层和余料层分离之后，在预定容器内以高压的气氛的条件继续对薄膜层和目标基板加热达预定时间。本发明能大大减小薄膜的缺陷密度，制作出大尺寸、晶片面积大、纳米等级厚度、膜厚均匀的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜的方法，所述方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余料层之间，注入离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；将键合体放入预定容器内以对键合体进行加热，使得薄膜层和余料层分离；在薄膜层和余料层分离之后，在预定容器内以大于5bar的气压的气氛的条件继续对薄膜层和目标基板加热达预定时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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